本发明公开了一种搪瓷真空杯的制作方法,包括焊接、抽真空,依次制作底釉层、搪瓷层和搪瓷釉层。本发明采用先焊接后上釉的工艺,可以将搪瓷釉覆盖到焊缝表面,使搪瓷釉可以保护焊缝,也增加了真空杯整体的美观程度。本发明在高温真空炉内加热并抽真空,真空度更高,保温效果更好。本发明在制作底釉层的时候增加了低温预热的工艺,可以促使底釉层成型,也可以降低杯体、内胆以及焊接处的内应力,增加材料韧性。本发明制作的搪瓷真空杯,搪瓷可以紧密贴合在真空杯表面,不易脱落。

本发明涉及铝蜂窝板材、泡沫铝板材、金属板材封边工艺,特别涉及一种铝蜂窝板材平贴封边工艺,包括①分条-②贴合-③修边-④氧化-⑤抛光-⑥修补六个步骤,本发明采用新的工艺,采用板条对铝蜂窝板进行封边,能够让铝蜂窝板和封边的板条达到浑然一体的效果,外形美观,提高了产品的品质,本发明工艺简单,实施方便,制作成本低,适合推广使用。

提供即使不使用Ag也能够抑制含有Sn的金属层的表面中的摩擦系数上升的金属材料及连接端子。设为如下金属材料(1)：具有基材(15)和将所述基材(15)的表面包覆的表面层(10),所述表面层(10)含有Sn和In,至少In存在于最表面。另外,设为如下连接端子：由那样的金属材料(1)构成,至少在与对方导电构件电接触的触点部,在所述基材(15)的表面形成有所述表面层(10)。

用于清洁处理室的系统和方法包含经由环绕喷头杆部的轴环而供应预活化清洁气体至处理室中,以对处理室进行清洁。在其他实施方案中,将清洁气体供应至轴环,并且将RF功率供应至喷头或基座以在处理室中产生等离子体,从而对处理室进行清洁。在还有的其他实施例中,将惰性气体供应至轴环,将预活化清洁气体供应至喷头杆部,并且将RF功率供应至喷头或基座以在处理室中产生等离子体,以对处理室进行清洁。

化学机械抛光组合物,其包括：基于水的液体载剂、分散在该液体载剂中的阳离子型研磨剂颗粒、具有小于7的等电点的第一氨基酸化合物及具有大于7的等电点的第二氨基酸化合物。该组合物的pH在约1至约5的范围内。用于化学机械抛光包括钨层的基板的方法,包括：使该基板与前述的抛光组合物接触,相对于该基板移动该抛光组合物,及研磨该基板以从该基板移除一部分钨且由此抛光该基板。

本发明涉及一种热塑性树脂组合物、制备该热塑性树脂组合物的方法、包含该热塑性树脂组合物的模制品、和制造所述模制品的方法。更具体地,本发明的热塑性树脂组合物包含：17重量％至49重量％的基体树脂,该基体树脂包含重量比为1:1.5至1:4的包含平均粒径为0.05μm至0.2μm的丙烯酸烷基酯橡胶的丙烯酸烷基酯-芳香族乙烯基化合物-乙烯基氰化合物接枝共聚物(A-1),和包含平均粒径大于0.2μm且小于或等于0.7μm的丙烯酸烷基酯橡胶的丙烯酸烷基酯-芳香族乙烯基化合物-乙烯基氰化合物接枝共聚物(A-2)；和51重量％至83重量％的重均分子量为50,000g/mol至200,000g/mol的芳香族乙烯基化合物-乙烯基氰化合物共聚物(B)。通过包含所述含量范围内的组分,本发明的热塑性树脂组合物在使用具有降低的毒性的无铬蚀刻剂的电镀工艺中可以具有优异的热循环性能、镀层粘合力和外观,同时具有等于或优于常规热塑性树脂组合物的机械性能。

本发明涉及预涂覆钢基材,其中涂层包含至少一种钛酸盐和至少一种纳米颗粒；用于制造组合件的方法；用于制造涂覆钢基材的方法和涂覆基材。其特别良好地适用于建筑、造船和海上工业。

提供了用于在金属表面上形成抗蚀刻掩模的方法和组合物组。该方法可以包括将包含第一反应性组分的组合物施加到金属表面上以形成底漆层；以及通过非击打式印刷工艺在所述底漆层上以图像方式印刷包含第二反应性组分的另一种组合物,以产生抗蚀刻掩模,其中当第二组合物的液滴接触底漆层时,反应性组分经历化学反应,从而使液滴固定。该组可以包括包含固定反应性组分的第一液体组合物和包含抗蚀刻反应性组分的第二液体组合物,其中固定反应性组分和抗蚀刻反应性组分能够经历化学反应以形成不溶于水中且不溶于酸性蚀刻溶液中的双组分材料。

本发明为一种无电镀导线镀金工艺方法,采用以下步骤制作：前制程基板制作、外层线路工序、光学检测、1次防焊工序、盖引线工序、电镀金工序、退膜蚀刻工序、等离子清洗、2次防焊工序、等离子清洗以及后工序制程。本发明方法可以有效改善孔口凹陷,改善油面平整度,可提高封装塑封时因不平整导致晶圆爆裂问题,另外封装基板除焊接区域再无任何区域外露,隔绝电器在长时间过程因环境条件导致电气性能差问题。

本发明揭示了一种等离子体磁过滤技术制备LAGP基固体电解质的方法,该方法包括以下步骤：S1：将沉积基底固定在化学气相反应室中的可旋转基座上；S2：将弧光放电源、磁过滤管、化学气相反应室进行抽取真空；S3：采用等离子对沉积基底的镀膜表面进行清洗,去除沉积基底镀膜表面的油污及杂质；S4：将弧光放电固体源引入磁过滤管中进行筛选；S5：关闭弧光放电、磁过滤电源,释放真空度,待恢复至常压状态后打开化学气相反应室取出样品,将所得样品翻转180°,重复如上步骤进行再次沉积,最终得到LAGP基固体电解质。该方法可以有效地降低LAGP与正极材料直接的界面电阻从而使其易于形成稳定的SEI膜。