本发明公开了一种提高光面铜结合力的方法,包括以下步骤：对铜表面进行等离子处理；将氨基硅烷偶联剂溶于溶剂中,形成混合溶液,且所述氨基硅烷偶联剂在混合溶液中的重量百分比为0.03％-0.25％；将得到的混合溶液涂敷于铜表面上,而后使铜表面干燥；对涂敷了混合溶液的铜表面再次进行等离子处理。本发明方法采用氨基硅烷偶联剂作为键合剂,氨基分子端能与铜进行化学键合,硅烷端能与绝缘介质进行键合,实现光滑的铜面与树脂的高结合力,满足环保、成膜快速、成本低廉和易于批量生产的要求。

本发明提供了一种尖晶石涂层的制备方法及其在制备固体氧化物燃料电池中的应用,涉及涂层材料技术领域。所述尖晶石涂层的制备方法为首先提供硝酸盐溶液,随后利用超声雾化喷涂的方法将硝酸盐溶液喷涂于铁素体不锈钢表面,形成附载在铁素体不锈钢表面的尖晶石氧化物薄膜；所述硝酸盐溶液中含有尖晶石涂层形成所需的金属；重复上述喷涂的步骤直至铁素体不锈钢表面形成5～50μm厚的尖晶石氧化物薄膜,烧结,制备得到尖晶石涂层。上述制备方法具有制备工艺简单,易于操作的特点,可以生成质地均匀致密的尖晶石涂层。同时,本申请利用超声雾化喷涂制备尖晶石涂层的方法相对于现有尖晶石涂层制备方法具有能耗低、材料利用率高、环境友好的优势。

本公开提供了一种化学气相沉积设备,属于半导体技术领域。该化学气相沉积设备包括反应腔体、供气组件、气体分配盘、气体控制组件。其中,反应腔体具有多个用于承载晶圆的承载台。供气组件,用于提供反应气体。气体分配盘,数量为多个且与多个承载台一一对应设置。气体控制组件,数量为多个且与多个气体分配盘一一对应设置。气体分配盘与供气组件之间,通过对应的气体控制组件连接。这样能够通过气体控制组件调节反应气体的流量或者通气时间,以控制对应的气体分配盘的气体流量或者通气时间,减小在不同晶圆表面沉积薄膜膜厚的差异,从而可以提高在晶圆上所沉积薄膜的质量,进而降低成本。

本申请提供一种量化绕镀的方法及镀膜设备的调整方法,属于太阳能电池镀膜技术领域。量化绕镀的方法包括：将标片上料到镀膜设备；标片包括硅片及形成于硅片两侧表面的第一氧化硅层和第二氧化硅层；在第一氧化硅层表面进行镀膜作业,以在第一氧化硅层表面形成镀膜层并在第二氧化硅层表面边缘形成绕镀层；对绕镀层的尺寸进行测量获得绕镀尺寸。镀膜设备的调整方法包括：采用量化绕镀的方法获取绕镀尺寸,镀膜作业包括依次进行本征非晶硅镀膜和N型掺杂非晶硅镀膜；将绕镀尺寸与预设标准比较；当绕镀尺寸不满足预设标准时,对镀膜设备的载板进行调节。该量化绕镀的方法在镀膜后能够及时地获取绕镀的情况,还能避免后道生产工序对评估结果的影响。

本申请涉及一种镀膜方法、晶圆膜层及薄膜设备,属于微型发光二极管领域；本申请实施例提供的一种镀膜方法、晶圆膜层及薄膜设备,对微型发光二极管芯片依次进行原子沉积和化学沉积,相对于直接采用化学沉积可以提升微型发光二极管芯片的均匀性,相对于全部采用原子沉积可以提升镀膜效率,可以有效地提升微型发光二极管出光的效率及器件的可靠度,也能使之后气相沉积的膜层更致密。

本发明提供一种可镀多种膜的管式PECVD石墨舟镀膜工艺,采用可镀多种膜的管式PECVD石墨舟结构,工艺流程如下：S1：机械手抓取硅片插入所述镂空区域的勾点上,使所述硅片位于所述镂空区域中,所述硅片的正面和背面分别位于两个所述镀膜通道中；S2：将所述镉板插入所述隔板安装槽内,对所述镀膜通道进行密封；S3：根据镀膜设计要求,在所述硅片两侧的镀膜通道中分别通入镀膜气体或惰性气体,并将所述电极与电源连通,完成镀膜。本发明单个设备上可以镀多种膜,节省了倒片时间,同时减少倒片过程的划伤,提升了良率。同时避免镀膜过程暴露在空气中,减少污染。

本申请适用于太阳能电池技术领域,提供了一种PERC电池的背面膜层的制作方法和PERC电池。PERC电池的背面膜层的制作方法包括：在待沉积背面膜层的电池基片上沉积氧化铝层,氧化铝层的厚度小于5nm；在沉积了氧化铝层的电池基片上沉积氮氧化硅层；在沉积了氮氧化硅层的电池基片上沉积氮化硅层和氧化硅层。如此,使得TMA耗量低,对背膜后的激光开槽工艺要求较低,背面电路与硅基体的接触电阻较低,PERC电池的光电转换效率高。

本发明提供一种石墨盘的修复方法及石墨盘,所述石墨盘包括石墨本体和在石墨本体表面沉积的涂层,所述修复方法包括：检测所述涂层是否存在裂缝；若所述涂层存在裂缝,检测与所述裂缝对应的所述石墨本体是否出现孔洞；若所述石墨本体上出现孔洞,且当所述孔洞的孔径大于预设孔径,则填充与所述孔洞匹配的石墨块至所述孔洞中。

本发明公开了一种织构强化的κ-Al-(2)O-(3)涂层工具,包括基体及涂覆在所述基体上的涂层；所述涂层包括至少一层κ-Al-(2)O-(3)涂层,所述κ-Al-(2)O-(3)涂层具有优先在(013)方向生长的显微组织结构,其织构系数TC大于2,所述织构系数TC的定义如下：式中：I(hkl)为通过X射线衍射而测量到的(hkl)晶面的反射强度；I-(0)为根据PDF卡号880107的衍射反射的标准强度；n为计算中所用的反射晶面的数目；所用的(hkl)反射晶面为(011)、(002)、(013)、(122)、(004)、(132)、(135)。还公开了一种织构强化的κ-Al-(2)O-(3)涂层工具的制备方法。本发明的目的在于提供一种织构强化的κ-Al-(2)O-(3)涂层工具,其具有良好的切削性能。

本发明属于晶体合成技术领域,具体涉及一种利用微波等离子体化学气相沉积法在钽铌酸钾晶体上制备金刚石薄膜的方法,包括如下步骤：1)将钽铌酸钾晶体置于微波等离子体化学气相沉积装置的腔体中,将腔体抽真空后,通入氢气,调节氢气流量、气压和微波功率,产生等离子体包裹钽铌酸钾晶体以实现对其加热,并调节真空微调阀使腔内气压保持在11kPa-12kPa范围之内；2)待压强和等离子体状态稳定后,对步骤1)所述腔体内通入甲烷,控制甲烷和氢气的通入流量比,再调节真空微调阀使腔内气压保持在11kPa-12kPa范围之内；待通入甲烷6-9h后关闭微波源,待腔体冷却,取出样品,得到在钽铌酸钾晶体上制备的金刚石薄膜。该方法有制备工艺简单,制备金刚石膜质量高,生长速度快等优点。