本申请提出了正极材料、电化学装置和电子设备。正极材料包括：锂钴铝氧化物,锂钴铝氧化物具有P6-(3)mc晶相结构；锂钴铝氧化物的X射线衍射图谱中具有对应于(002)晶面的002峰和对应于(101)晶面的101峰,002峰的强度为I-(002),101峰的强度为I-(101),I-(002)/I-(101)＝η,其中,3.9<η<5。本申请提出的正极材料中的锂离子扩散速度快,且晶体结构稳定,能够在保证正极材料容量的同时稳定晶体结构,从而提高电化学装置的循环性能和存储性能。

在本发明的一方式中,在各向异性磁铁粉末中,包含TbCu-(7)型钐-铁-氮系合金的单晶粒子。

本发明公开了一种基于无机分子晶体的忆阻器件、制备方法及其应用。所述忆阻器件包括：自下而上依次排列的衬底、底电极层、介质层、活性金属层和顶电极层,其中所述介质层包括无机分子晶体薄膜、活性金属掺杂的无机分子晶体薄膜和二维无机分子晶体单晶中的一种。本发明中首次将无机分子晶体材料应用到忆阻器件中,填补了无机分子晶体在忆阻器研究中的空缺。本发明的忆阻器以无机分子晶体作为介质层,并通过活性金属扩散形成导电细丝,符合电化学金属化阻变机制。本发明的忆阻器具有置位电压低、功耗低、开关比大等优点。

一种在SiC衬底上直接生长MoS-(2)薄膜的方法,包括：先将衬底进行清洗,然后将硫粉和三氧化钼粉作为硫源和钼源,其分别放在滑轨炉的低温区和高温区,将SiC衬底放在MoO-(3)粉的下游,并在滑轨炉中通一定流速的保护气,之后将滑轨炉的低温区和高温区以指定升温速度升至所需温度并且保温生长一段时间,生长完成之后自然降至室温。本发明的方法操作简单,可在SiC衬底上直接生长高质量的MoS-(2)薄膜,生长的MoS-(2)薄膜具有面积较大、尺寸较均匀以及生长速度快等优点。

本发明提供一种硅基GaN-HEMT外延结构的制作方法,包括：采用金属有机物化学气相沉积工艺于硅衬底上形成GaN-HEMT外延结构,包括成核层、缓冲层、碳掺杂的GaN高阻层、非掺杂的GaN沟道层、AlN空间层、AlGaN势垒层及GaN盖帽层；所述GaN-HEMT外延结构的外延生长所采用的气源包括有机金属源和氮源,以H-(2)和N-(2)作为载气,其中,氮源的载气H-(2)与N-(2)的体积比为1.75～2.5之间,有机金属源的载气H-(2)与N-(2)的体积比为0.4～1之间。本发明可有效提高GaN-HEMT外延生长过程中的不同区域生长速率均匀性、厚度均匀性、AlGaN势垒层的Al组分均匀性以及2DEG密度和二维电子气的迁移率。

本发明公开了一种具有强去污能力的单晶硅制绒添加剂及应用,所述制绒添加剂包括以下质量百分比含量的各组分：第一表面活性剂1%～6%,第二表面活性剂2%～5%,醚类脱泡剂3%～5%,成核剂0.5%～3%,助溶剂1%～2%,螯合剂0～0.1%,余量为去离子水。本发明开发了一种新型的具有强去污能力的单晶硅制绒添加剂,并非常规表面活性剂需要达到一定浓度才能具备包裹效果,不受临界胶束浓度大小的限制,大大提高了制绒添加剂的去污效果,提高了制绒后硅片表面的洁净度。

本发明涉及半导体加工技术领域,具体公开了一种提高碳化硅晶片平整度的退火方法,包括以下步骤：S1:将碳化硅晶片置于退火炉内；S2:对所述退火炉抽真空,通入保护气体,保持所述退火炉内的压力稳定；S3:缓慢匀速的提升所述退火炉内温度至退火温度,控制所述退火炉内的温度梯度小于第一温度梯度值；S4:对所述碳化硅晶片施加压力并保持；S5:去除所述碳化硅晶片上的压力,继续进行保温；S6:缓慢匀速的将所述退火炉内温度降至室温,控制所述退火炉内的温度梯度小于第一温度梯度值。本发明中的退火方法既能减少碳化硅晶片内应力又能降低碳化硅晶片的BOW(弯曲度)、WARP(翘曲度),提高了碳化硅晶片的质量,为后续加工提供便利,提高了良品率。

本申请公开了一种扩散炉,包括：炉管结构,其包括炉管本体和炉底,所述炉管本体的底端与所述炉底连接围成反应腔；承载结构,其包括基座和设于所述基座上的晶舟,所述晶舟设为多个,所述基座设于所述炉底上。通过将晶舟设为多个,可将炉管本体的高度降低,同时可将炉管本体的宽度加宽,这样设备维修和保养的空间变大,有利于对设备进行维修和保养；同时反应腔的高度降低,上下反应条件差异变小,可使得晶圆成膜质量差异变小,可提高产品良率,而且由于上下反应条件差异变小可减少制程时间,提高生产效率。

本发明公开了一种铅位掺杂甲胺铅碘单晶薄膜及其制备方法,所述单晶薄膜以CH-(3)NH-(3)PbI-(3)为母体,在铅位掺杂La,得到分子式为CH-(3)NH-(3)Pb-(1-x)La-(2x/3)I-(3)(x=0.005-0.19)的单晶薄膜,在铅位掺杂Sm,得到分子式为CH-(3)NH-(3)Pb-(1-y)Sm-(2y/3)I-(3)(x=0.005-0.19)的单晶薄膜,在铅位掺杂Pr,得到分子式为CH-(3)NH-(3)Pb-(1-z)Pr-(z)I-(3)(z=0.005-0.27)的单晶薄膜。本发明通过La、Sm、Pr元素的掺杂有效的提高了载流子的饱和极化强度、剩余极化强度、压电系数和迁移率,铅位取代较大地提高了其光电性能,且降低了重金属铅带来的毒性,该工艺简单,制备过程易于控制,重复性高。

本发明涉及一种半绝缘性砷化镓晶体基板,所述半绝缘性砷化镓晶体基板具有主表面,所述主表面具有(100)的平面取向和2Rmm的直径,所述主表面在以在[010]方向上距所述主表面的中心的距离分别为0mm、0.5Rmm和(R-17)mm的点为中心的三个测量区域中的每一个区域中具有5×10～(7)Ω·cm以上的比电阻的平均值和0.50以下的变异系数,所述变异系数通过用比电阻的标准偏差除以比电阻的平均值而得到。